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onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 535 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NGTB40N120FL2WG

Produkt-Nr.: P-CDDGDL

Technische Daten

Abmessungen
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
80 A
Gate-Source Spannung max.
±20V
Gehäusegröße
TO-247
Gewicht
1 g
Kollektor-Emitter-Spannung
1200 V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 535 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.25 x 5.3 x 21.4mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

IGBT, diskret, ON Semiconductor. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.

Produktangebot

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Nicht vorrätigZustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT
GTIN
5059042409888