onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 535 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Marke: onsemi
Hersteller Artikel-Nr.: NGTB40N120FL2WG
Produkt-Nr.: P-CDDGDL
Technische Daten
- Abmessungen
- 16.25 x 5.3 x 21.4mm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 80 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Gewicht
- 1 g
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 535 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.25 x 5.3 x 21.4mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
IGBT, diskret, ON Semiconductor. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
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Nicht vorrätigZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059042409888