onsemi BUB323ZT4G SMD, NPN Digitaler Transistor 6 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin
Marke: onsemi
Hersteller Artikel-Nr.: BUB323ZT4G
Produkt-Nr.: P-CDDM75
Technische Daten
- Abmessungen
- 10.29 x 9.65 x 4.83mm
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
- Gewicht
- 1 g
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 6 V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 2 + Tab
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
- Transistor-Typ
- NPN
- Verlustleistung max.
- 150 W
Produktbeschreibung
Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 6 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Pinanzahl = 2 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.29 x 9.65 x 4.83mm
Der BUB323Z ist ein planarer, monolithischer, bipolarer Hochspannungs-Darlington-Transistor mit integrierter aktiver Zenerklemmschaltung. Dieses Gerät wurde speziell für ungespannte, induktive Anwendungen wie elektronische Zündung, Schaltregler und Motorsteuerung entwickelt.Integrierte Hochspannungs-Active-Klemme Fenster für feste Spannungsspitzen (350 V bis 450 V)Garantiert über den Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C Spannkraft 100% in einem spannungsführenden Zündkreis getestet Hohe DC-Stromverstärkung/niedrige Sättigungsspannungen über dem gesamten Temperaturbereich wählbar Design garantiert jederzeit den Betrieb in SOA Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Produktangebot
12,16 €
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045767237