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onsemi PNP Darlington-Transistor 120 V 50 A HFE:400, TO-204 2-Pin Einfach

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: MJ11033G

Produkt-Nr.: P-CDD3TW

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Basis-Emitter Spannung max.
5 V
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.
4,5 V
Dauer-Kollektorstrom max.
50 A
Gehäusegröße
TO-204
Gleichstromverstärkung min.
400
Kollektor-Basis-Spannung max.
120 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3,5 V
Kollektor-Emitter-Spannung
120 V
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Transistor-Typ = PNP
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 120 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = TO-204
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 2
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 400
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 120 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 3,5 V
Verlustleistung max. = 300 Wmm

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. PNP-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

Produktangebot

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Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
Darlington Transistoren
GTIN
5059042622621