IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Breite
- 5.3mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 80 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 250 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 16 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.5V
- Gate-Source Spannung max.
- ±20 V
- Höhe
- 21.45mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Serie = HiperFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 390 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 5.3mm
Höhe = 21.45mm
Produktangebot
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041724227
