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Infineon CoolMOS CP N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-247

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPW60R099CPFKSA1

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
31 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
99 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
14 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
3.5V
Gate-Schwellenspannung min.
2.5V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 31 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS CP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 255 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 14 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045545910