Infineon CoolMOS™ C6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-247
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IPW60R190C6FKSA1
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 20 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 190 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 63 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 151 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 63 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET