STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Datos técnicos
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 17 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 190 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 46 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
Descripción del producto
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = MDmesh
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 46 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Produktangebot
3,13 €
3,72 € incl. IVA más costo de envío
Tiempo de entrega aprox. 2 díasCondición: Nuevo
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Kennzeichnungen
- Tipo de artículo
- MOSFET
- GTIN
- 5059042885439
