STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-247
Datos técnicos
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 29 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 105 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 84 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Höhe
- 20.15mm
Descripción del producto
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = MDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 105 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 210 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 84 nC @ 10 Vmm
Höhe = 20.15mm
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Produktangebot
8,98 €
10,69 € incl. IVA más costo de envío
Tiempo de entrega aprox. 1 díasCondición: Nuevo
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Kennzeichnungen
- Tipo de artículo
- MOSFET
- GTIN
- 5059042877700
