Vishay P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 700 mA 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRFD9110PBF
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +175 °Cmm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- P
- Dauer-Drainstrom max.
- 700 mA
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,2 Ω
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- HVMDIP
Produktbeschreibung
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 700 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
Produktangebot
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Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040895317