Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A, 8-Pin 10 x 12
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 19 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Gehäusegröße
- 10 x 12
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 8
- Transistor-Werkstoff
- Silicon
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = 10 x 12
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = Silicon
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
