Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 18 A, 4-Pin 8 x 8
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: SIHH155N60EF-T1GE3
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 18 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Gehäusegröße
- 8 x 8
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 4
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = 8 x 8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET