Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
Marke: Toshiba
Hersteller Artikel-Nr.: GT20J341
Technische Daten
- Abmessungen
- 10 x 4.5 x 15mm
- Betriebstemperatur max.
- +150 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 20 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±25V
- Gehäusegröße
- TO-220SIS
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 600 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Schaltgeschwindigkeit
- 100kHz
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 45 W
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 100kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10 x 4.5 x 15mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
IGBTs, diskret, Toshiba
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059041654029