Toshiba 2SA1962-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
Marke: Toshiba
Hersteller Artikel-Nr.: 2SA1962-O(Q)
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Arbeitsfrequenz max.
- 30 MHz
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5 V
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- DC Kollektorstrom max.
- –15 A
- Gehäusegröße
- TO-3PN
- Gleichstromverstärkung min.
- 55
- Kollektor-Basis-Spannung max.
- 230 V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- –230 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –15 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –230 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 130000 mW
Gleichstromverstärkung min. = 55
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 230 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 30 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
PNP-Leistungstransistoren, Toshiba
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059041609265