STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 60 V 4 A HFE:750, SOT-32 3-Pin Einfach
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: BD677
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5 V
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 4 A
- Gehäusegröße
- SOT-32
- Gleichstromverstärkung min.
- 750
- Höhe
- 10.8mm
- Kollektor-Abschaltstrom max.
- 0.2mA
- Kollektor-Basis-Spannung max.
- 60 V
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
- 2,5 V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 60 V
Produktbeschreibung
Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 4 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = SOT-32
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 750
Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 2,5 V
Kollektor-Abschaltstrom max. = 0.2mA
Höhe = 10.8mm
NPN-Darlington-Transistoren, STMicroelectronics
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Darlington Transistoren
- GTIN
- 5059042804638