STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 13 A 350 W, 3-Pin TO-247
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STW13NK100Z
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 13 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1000 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 700 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Serie = MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 700 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 350 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042984484