STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-220
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STP18NM60N
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 13 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 285 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Höhe
- 15.75mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 285 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 15.75mm
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042887686