STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 21 A 150 W, 3-Pin TO-247
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STW28NM50N
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 21 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 158 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 50 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Höhe
- 20.15mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Serie = MDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 158 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 50 nC @ 10 Vmm
Höhe = 20.15mm
N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042889666