STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 35 A 210 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 35 A
Drain-Source-Spannung max. = 710 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 78 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 210 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Höhe = 4.6mm

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.