STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 469 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STGWT80H65DFB
Technische Daten
- Abmessungen
- 15.8 x 5 x 20.1mm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 120 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-3P
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Schaltgeschwindigkeit
- 1MHz
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 469 W
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
IGBT, diskret, STMicroelectronics
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059042700848