STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STF11NM60ND
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 10 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 450 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Höhe
- 16.4mm
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = FDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 16.4mm
N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics
Produktangebot
3,23 €
3,84 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu
Weitere Angebote
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042347050