Semikron IGBT-Modul / 616 A 20V max. Dual, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 616 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = SEMITRANS3
Montage-Typ = Schraubmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Schaltgeschwindigkeit = 12kHz
Transistor-Konfiguration = Halbbrücke
Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 30.5mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C

Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung