onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247

Name: onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FCH041N60E

Produkt-Nr.: P-CGVFCM

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 77 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 77 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = SuperFET II
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 592 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.