Mitsubishi IGBT-Modul / 200 A 20V max. Dual, 600 V 1,4 kW 94 x 34 mm
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 200 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- 94 x 34 mm
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 600 V
- Transistor-Konfiguration
- Dual
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = 94 x 34 mm
Transistor-Konfiguration = Dual
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Nicht vorrätigZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
