IXYS PolarHVTM HiPerFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin ISOPLUS264
Technische Daten
- Breite
- 5.21mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 70 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 52 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Höhe
- 26.42mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Serie = PolarHVTM HiPerFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 625 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.21mm
Höhe = 26.42mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie HiperFET PolarHV. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs vom Anreicherungstyp der Serie IXYS PolarHV™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
Produktangebot
28,53 €
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041397858
