IXYS IGBT / 570 A ±20V max., 650 V 880 W, 3-Pin TO-264 N-Kanal
Technische Daten
- Abmessungen
- 20.3 x 5.3 x 26.6mm
- Anzahl an Transistoren
- 1
- Betriebstemperatur max.
- +175 °CmJ
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 570 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-264
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 570 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-264
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 10 → 30kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 20.3 x 5.3 x 26.6mm
Betriebstemperatur max. = +175 °CmJ
IGBTs, diskret, IXYS
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059041077675
