IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 64 A 1,13 kW, 3-Pin TO-264
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 64 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 95 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Höhe
- 26.16mm
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 64 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = HiperFET, Polar3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 95 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,13 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 26.16mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041153256
