Infineon IGBT / 600 A 20V max., 1200 V 1,2 kW AG-62MM N-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 1,2 kW
Gehäusegröße = AG-62MM
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter

Das Infineon 62 mm 1200 V, 600 A Dual-IGBT-Modul mit Trenchstop ® IGBT4 und Emitter-gesteuerter Diode. Auch erhältlich als Variante mit gemeinsamem Emitter:FF600R12KE4_E.RoHS-konform 4 kV ac, 1 min Isolierung Gehäuse mit CTI > 400 Hohe Kriechalter- und Sicherheitsabstände UL/CSA-Zertifizierung mit UL1557 E83336