Infineon IGBT / 35 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-EASY2B. N-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = AG-EASY2B.
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter

Das Infineon EasyPIM TM 2B 1200 V, 35 A dreiphasiger Eingangsgleichrichter-PIM (Power Integrated Modules) IGBT-Modul mit Trenchstop ® IGBT7, Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC- und Pressfit-Kontakttechnologie.Geringe VCEsat Trenchstop ® IGBT7 Überlastbetrieb bis zu 175 °C. 2,5 kV AC, 1 min Isolierung Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand Hohe Leistungsdichte Kompaktes Design Presssitz-Kontakttechnologie