Infineon IGBT / 160 A 20V max. , 600 V 833 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 833 W
Gehäusegröße = PG-TO247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach

Der Infineon IKQ120N60T verfügt über einen 600 V hart schaltenden IGBT, diskret mit einer antiparallelen Diode, die eine höhere Systemleistungsdichte aufweist, die die gleiche thermische Leistung des Systems beibehalten und eine höhere Zuverlässigkeit mit verlängerter Lebensdauer des Geräts bietet.35 % größerer aktiver Thermopadbereich für bis zu 20 % geringeren Wärmewiderstand R th(jh) Erweiterter Kriechstrecke von 4,25 mm - 2 mm größer als TO-247