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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 38 A 341 W, 3-Pin TO-247AC

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFP4137PBF

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
38 A
Drain-Source-Spannung max.
300 V
Drain-Source-Widerstand max.
69 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 38 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 69 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 341 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

Produktangebot

5,27 €

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Nicht vorrätigZustand: Neu

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043441061