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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 106 A, 3-Pin TO-247

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPW65R018CFD7XKSA1

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
106 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
0,018 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
4.5V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Serie
CoolMOS™

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 106 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,018 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Produktangebot

16,82 €

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Nicht vorrätigZustand: Neu

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET