Infineon COOLiRFET AUIRFS8409 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 195 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: AUIRFS8409
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 195 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 40 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,2 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.9V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 195 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.2V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Serie = COOLiRFETmm
Leistungs-MOSFET COOLiRFET™, Infineon. Die für die Automobilindustrie geeigneten Leistungs-MOSFETs COOLiRFET™ von Infineon weisen einen sehr geringen Widerstand (RDS(ein)) und sehr geringe Leitungsverluste auf, was sich in sehr effizienten Schaltgeschwindigkeiten von Starkstromsignalen widerspiegelt. Sie liefern höhere Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit in rauen Signalumgebungen mit robuster Stoßentladungsleistung, niedrigen Leitungsverlusten, schnellen Schaltgeschwindigkeiten und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C.
Produktangebot
3,62 €
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043458229