STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 125 V / 20 A 389 W, 4-Pin M174

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 125 V
Gehäusegröße = M174
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 389 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 4.11mm

HF-MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics. Die HF-Transistoren sind LDMOS-geeignet für L-Band-Satelliten-Uplinks und DMOS-Leistungstransistoren in Anwendungen von 1 MHz bis 2 GHz.