STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 66 A 446 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 66 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 42 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 446 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 20.15mm

N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics. Die MOSFETs der Serie MDmesh DM2 bieten einen niedrigen RDS(on), und mit der verbesserten Sperrerholungszeit für eine hohe Effizienz wurde diese Serie über phasenverschobene Vollbrücken-ZVS-Topologien optimiert. Hohe dV/dt-Fähigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit AEC-Q101-qualifiziert