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STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-220

STMICROELECTRONICS logó

Márka: STMICROELECTRONICS

Gyártó cikkszáma: STP18NM60N

Műszaki adatok

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
13 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
285 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
–25 V, +25 V
Gehäusegröße
TO-220
Höhe
15.75mm

Termékleírás

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 285 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 15.75mm

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

Produktangebot

2,21 EUR

2,63 EUR ÁFA-val együtt, plusz szállítási költség

Szállítási idő körülbelül 2 napÁllapot: Új

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Kennzeichnungen

Terméktípus
MOSFET
GTIN
5059042877748