Ugrás a fő tartalomra

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220

INFINEON logó

Márka: INFINEON

Gyártó cikkszáma: IPP110N20N3GXKSA1

Műszaki adatok

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
88 A
Drain-Source-Spannung max.
200 V
Drain-Source-Widerstand max.
11 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
65 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Termékleírás

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 88 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 65 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

Produktangebot

6,46 EUR

7,69 EUR ÁFA-val együtt, plusz szállítási költség

Szállítási idő körülbelül 2 napÁllapot: Új

Weitere Angebote

Kennzeichnungen

Terméktípus
MOSFET
GTIN
5059045555377