Ugrás a fő tartalomra

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,4 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

INFINEON logó

Márka: INFINEON

Gyártó cikkszáma: IRFU120NPBF

Műszaki adatok

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
9,4 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
210 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
25 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)

Termékleírás

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 210 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 48 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm
Höhe = 6.1mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Produktangebot

0,64 EUR

0,76 EUR ÁFA-val együtt, plusz szállítási költség

Szállítási idő körülbelül 1 napÁllapot: Új

Kennzeichnungen

Terméktípus
MOSFET
GTIN
5059045876236