STMicroelectronics N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin H2PAK-7
Marca: STMICROELECTRONICS
Núm. de artículo del fabricante: SCTH35N65G2V-7AG
Datos técnicos
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 2
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 45 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,067 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gehäusegröße
- H2PAK-7
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
Descripción del producto
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = H2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,067 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Produktangebot
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Tiempo de entrega aprox. 2 díasCondición: Nuevo
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Kennzeichnungen
- Tipo de artículo
- MOSFET