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STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 214 W, 3-Pin TO-247

Logo de STMICROELECTRONICS

Marca: STMICROELECTRONICS

Núm. de artículo del fabricante: STW20NM60FD

Datos técnicos

Betriebstemperatur max.
+150 °Cmm
Betriebstemperatur min.
-65 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
20 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
290 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V

Descripción del producto

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = FDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 290 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 214 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -65 °Cmm

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics

Produktangebot

5,94 €

7,07 € incl. IVA más costo de envío

Tiempo de entrega aprox. 2 díasCondición: Nuevo

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Kennzeichnungen

Tipo de artículo
MOSFET
GTIN
5059042161472