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Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-247AC

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Marca: INFINEON

Núm. de artículo del fabricante: IRFP9140NPBF

Datos técnicos

Anzahl der Elemente pro Chip
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
P
Dauer-Drainstrom max.
23 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
117 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Descripción del producto

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 23 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 117 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 140 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Produktangebot

1,72 €

2,05 € incl. IVA más costo de envío

Nicht vorrätigCondición: Nuevo

Kennzeichnungen

Tipo de artículo
MOSFET
GTIN
5059043945750