STMicroelectronics THT SiC-Schottky Diode, 650V / 20A, 2-Pin TO-220AC Ins
Technical Data
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Dauer-Durchlassstrom max.
- 20A
- Diode Typ
- SiC-Schottky
- Diodenkonfiguration
- Einfach
- Diodentechnologie
- SiC-Schottky
- Gehäusegröße
- TO-220AC Ins
- Gleichrichter-Typ
- Schottky-Diode
- Maximaler Spannungsabfall
- 1.65V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 2
Product description
Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220AC Ins
Dauer-Durchlassstrom max. = 20A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 1.65V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 400A
Schottky-Diode basierend auf Siliziumkarbid (SIC), STMicroelectronics. Eine SiC-Diode (Siliziumkarbid-Diode) ist eine äußerst leistungsstarke Schottky-Diode. Keine oder eine vernachlässigbare Sperrverzögerung Schaltverhalten temperaturunabhängig Speziell für PFC-Anwendungen Hohe Durchlass-Stoßspannungsfestigkeit
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Identifications
- Product Type
- Schottky-Dioden und Gleichrichter
- GTIN
- 5059042094046
