STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Technical Data
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 30 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 710 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 95 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Höhe
- 4.6mm
Product description
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 710 V
Serie = MDmesh M5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 95 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 4.6mm
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
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Identifications
- Product Type
- MOSFET
- GTIN
- 5059042383409
