STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 52 A 350 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 52 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = MDmesh M2
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 55 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 350 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Länge = 15.75mm
Höhe = 20.15mm

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics. Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).